Artykuł: Praktyczne wykorzystanie najnowszej generacji tranzystorów IGBT zastosowanych w przetwornicy ENI-PTC750/52 – część II

Zachęcamy do przeczytania drugiej części artykułu autorstwa Przemysława Łukasiaka — Kierownika Działu Rozwoju w firmie Enika Sp. z o.o.

Ta część poświęcona jest porównaniu najnowszej 7-mej generacji tranzystora IGBT z poprzednią 5-tą generacją  tranzystorów IGBT.

Więcej o projekcie w artykule.

 

 

 

Ta strona używa plików cookies

We are committed to protecting your privacy and ensuring your data is handled in compliance with the General Data Protection Regulation (GDPR).